技术编号：6819193
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的接触窗回火(Contact Anneal)的方法，特别是涉及一种避免掺杂(Doped)介电层内发生掺杂扩散(Dopant Diffusion)的接触窗回火的方法。在建构于一硅基底上的现代半导体器件中，形成在硅基底内的P+型及N+型掺杂区是该器件的基本元件，其必须被连接成特定的结构以形成所需求的电路。该电路必须可以经由传导垫(Conducting Pads)连接至外界，提供测试及连结至包装晶片中的金属接脚。在此电路中，至少有一低阻抗...
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