技术编号:6819555
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失性半导体存储器,特别是涉及一种无触点的、非易失性的、金属氧化物半导体(MOS)存储器,以及一种制造该器件的方法。一种常规的非易失性MOS存储器单元的基本构成在下面参照附图说明图1简单地说明,图1示出了一种具有一层叠的、浮栅结构的简化的非易失性MOS存储单元的剖视图。更真实的结构与该简化的结构的不同之处主要在于该栅极的形状和定位。如图1所示,薄的隧穿(栅极)氧化物2将导电的浮栅3(术语浮栅实际上是指没有电导体与这种栅极相连接)和轻掺杂沟道...
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