技术编号：6820085
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体装置的方法，特别涉及一种通过较少数目的编码选择离子植入过程为一多值掩膜可编程只读存储器向多个单元晶体管沟道区设定多个不同值电压电平的方法。在掩膜可编程只读存储器中，ROM码根据使用者提供的数据确定。要确定ROM码，需要进行多个编码离子植入过程，其中由光刻处理形成的不同的掩膜图案被用来选择性地用离子植入方式将硼植入掩膜可编程只读存储器的选定单元晶体管沟道区。具有被接收硼植入的选定单元晶体管沟道区电压电平VT会增加。无硼植入的未选定单元...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。