技术编号:6820573
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件,特别涉及一种半导体图象传感器。过去,采用了各种方法在具有互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的衬底上形成半导体传感器。一般情况下,传感器的光接收部分形成为大面积晶体管的栅,常称之为光栅,或形成为金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源-漏结。采用光栅晶体管时,需要光扫过晶体管的硅栅,以将光转化为电能。因此,采用光栅的情况减小了灵敏度。另外,耗尽区一般较浅(小于一个微米),所以减小了吸收红光诱发的载流子的收集效率。并且常规光栅对表面复合...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。