技术编号:6829692
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储器,特别是涉及具有适合于高密度、高集成度的层叠栅极构造的半导体存储单元的非易失性半导体存储器及其制造方法。背景技术 作为能够进行数据的电重写的适合于高密度、高集成度的非易失性半导体存储器(EEPROM),快速存储器是公知的。特别是,具有电荷蓄积层和控制栅极的层叠栅极构造的MOS晶体管构造的存储单元被广泛使用。图1是使用这样的存储单元的NOR型EEPROM的平面图,图2A、2B分别是图1的A-A’和B-B’断面图。在硅衬底101的...
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