技术编号：6830355
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于应用于低电容值高频电路或类似技术的积层变阻器的新构造。背景技术 传统的积层变阻器结构如图5所示。其结构由至少两个成对的内电极20a和20b以及变阻层21积层而成。而其最外层为陶瓷层22和23以保护该积层结构。内电极20a和20b分别导电连接到外电极24和25。变阻层21具有介电常数。内电极20a和20b的末端W部份的表面以变阻层22隔开而彼此面对(请参看日本专利公开公报平5-6806号和平5-6807号)。同样地，如图6的传统积层变阻器，其中具...
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