技术编号：6831788
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种蚀刻具有不同深宽比的孔洞的方法，尤指一种利用牺牲块图案的蚀刻方法。背景技术 蚀刻工艺是为半导体工艺中最为常见的技术之一，其目的在于去除不需要的薄膜或半导体衬底，以形成所需的结构或图案。蚀刻的原理为利用蚀刻溶液与薄膜之间的化学反应，或是利用电浆以物理及化学的方式轰击薄膜以达到去除薄膜的目的。在配合使用掩模图案的情况下，如光致抗蚀剂图案，即可利用蚀刻工艺定义出各薄膜层的图案，进而制作出所需的元件。而随着微机电元件的发展，由于微机电元件常具有较半...
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