技术编号：6832151
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明，涉及半导体装置的制造方法及半导体衬底，特别是有关防止生产工序中由于金属杂质的混入而引起的元件可信度降低的半导体装置的制造方法以及使用这种方法制造的半导体衬底。背景技术 近年，伴随着半导体元件的精细化及半导体衬底(晶片)的大口径化的进展，因为存在减少决定半导体的导电型的杂质扩散长度的倾向，还有，为避免由于施加热处理而使晶片产生热疲劳以及对设备的电特性产生的负面影响，在半导体制造生产工序出现了热处理低温化及短时间化的倾向。通常，通过对晶片充分实施热处理...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。