技术编号:6833367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,特别指高密度超小型Ge量子点的生长方法。背景技术 Si/Ge系统中SK模式自组织生长的Ge量子点,由于具有与微电子工艺相兼容的巨大优势以及三维尺寸限制效应带来的新奇光学、电学特性而将有广阔的应用前景,并且已经成为目前研究的热点。由于其结构上的三维限制特性,在光学和电学上表现出特有性质,利用这些性质可以制作新的功能器件并可能在未来微电子和光电子应用中发挥重要作用。诸如量子点对载流子的三维限制有助于提高激子的束缚能,提高SiGe/Si结构的发...
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