技术编号:6841043
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体元件,特别是涉及一种在不同芯片区具有不同栅介电质的半导体芯片。背景技术在过去数十年中,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸不断缩小,使得集成电路的速度、密度和每单位功能的成本都得到了改善。但是,当普通MOSFET的栅极长度缩小时,会产生栅极可能无法控制通道开关状态的问题,这种现象称为短通道效应。短通道效应在元件尺寸缩至0.13微米以下时会变得非常显著,而其主要解决方法是在缩小晶体管尺寸的同时,缩小栅介电质的厚度。MOS...
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