技术编号:6841600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容涉及。更具体地,本公开内容涉及具有由有机半导体材料制成的有源层(active layer)的电子器件及其制造方法、和具有由有机半导体材料制成的沟道形成区域(channel formation region)的半导体器件及其制造方法。背景技术目前用在许多电子装置中的场效应晶体管(FET)(包括薄膜晶体管(TFT)),例如,由沟道形成区域、源/漏电极(source/drain electrodes)、栅绝缘层(gate insulatinglayer...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。