技术编号：6845003
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器晶体管，尤其涉及将此存储器单元排列成紧凑型阵列及其制造的方法。背景技术 在申请序列号为10/423,637的现有技术中，题为“具有多晶硅悬浮隔离层的镜像存储器单元晶体管对”(此申请已转让给本发明的受让人)一文中，B.Lojek叙述了非易失性MOS存储器晶体管的一种存储器阵列的排列方法，其中，在存储器阵列中安置了对称晶体管对。诸晶体管对在一共享阱中共用一个漏极，而其余部分则是完全独立的。该晶体管对在一组隔离区之间制造，从而使之共享同一...
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