技术编号：6845451
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造方法，特别涉及集成电路(Integrated Circuit，IC)结构的有机插塞制作方法。背景技术 在半导体集成电路(IC)制造中，器件如元件的晶体管在通常由硅制成的半导体晶片衬底上形成。在制造过程中，不同的材料淀积在不同的层上以制成所需的IC。通常导电层包括形成图案的金属线、多晶硅晶体管栅极以及类似物，其间通过电介质材料互相绝缘。该电介质材料由二氧化硅(SiO2)制成以使半导体结构不同层上的导线绝缘。因为半导体电路越来越快和越来越紧...
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