技术编号：6845669
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于半导体处理的领域，更明确地说，有关于半导体装置制造中的热退火处理。背景技术 快速加热制程(RTP)为一种在晶片制造时，退火晶片的处理。于此处理中，热辐射被用以快速加热在控制环境中的晶片至超过腔温900度以上的最大温度。取决于制程而定，该最大温度是被持续一特定时间，范围由1秒至几分钟。晶片然后被冷却回到腔温，作进一步处理。高强度钨或卤素灯常被用作为热辐射源。将晶片传导耦合至一受热晶座提供额外的热能。半导体制程有几项RTP应用。此等应用包含热氧化...
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