技术编号：6846234
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基于半导体的装置的制造。更为特别地，本发明涉及用于用多孔低K介电层来制造基于半导体的装置的改进技术。背景技术 在基于半导体的装置(例如集成电路或平板显示器)制造中，双镶嵌结构可以结合铜导体被用于降低与在前代技术中所使用的基于铝的材料中的信号传播相关的RC延迟。在双镶嵌过程中，代替蚀刻导体材料，可将通路以及沟渠蚀刻到介电材料中并用铜填充。可通过化学机械抛光(CMP)除去过量的铜，留下通过通路连接的铜线以用于信号传输。为了更进一步降低RC延迟，可使用...
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