技术编号：6846415
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体生产技术，尤其是涉及一种在半导体衬底上电镀铜以形成镶嵌的铜互连的方法。当前的半导体设备需要较高的电流密度来得到较好的性能。此外，设备的大小正在缩小到几何形状，当传导较高电流密度时，这种情况就日益变得有问题。当同时保持对电迁移(EM)的足够电阻级、减少的金属空隙、改进的晶片生产的生产率时，并且也要避免其他常见的可靠性问题时，必须用现有技术来适应较高电流密度以及缩小的几何形状。而铝是一种成熟的集成电路(IC)互连材料，铜只是一种相对新的用于...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。