技术编号:6847012
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力半导体装置。背景技术 以往的一般的电力半导体装置的结构如图13所示。在金属制的基板2上,配置有绝缘基板4,该绝缘基板4是在陶瓷的正反面对电路图形进行金属电镀而形成的,在该绝缘基板4上,搭载有IGBT/MOSFET等的电力用转换半导体元件6及续流二极管8。电力用转换半导体元件6和续流二极管8,与内置有外部端子的壳体(嵌入式壳体)18相连接(经由外部端子)。IGBT等的电力用转换半导体元件6,是以上面(正面)为发射极面、下面(反面)为集电极面的形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。