技术编号：6847173
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高级半导体器件的制造，尤其是其中使用金属栅电极的高级CMOS集成器件。背景技术 随着CMOS器件尺寸的持续缩小，这些器件的栅极电介质已经小到远低于20的厚度。这接着导致栅极泄漏电流的急剧增大和掺杂剂从多晶硅栅极结构扩散(通常称为多晶硅栅极耗尽效应)。现在，金属栅极用于减轻多晶硅栅极耗尽效应，并控制泄漏电流，从而确保高度集成的CMOS器件的电性能。金属栅极通常由“替代栅极”工艺形成，其中首先形成假多晶硅栅极，然后去除，而在其位置形成金属栅极。金属...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。