技术编号:6847837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的氮化镓基大管芯发光二极管(GaN基大管芯LED)及其制备方法。背景技术 在半导体照明领域,在非光出射端面上的光损失一直是大管芯LED发光效率难以提高的问题之一。氮化镓基化合物半导体材料具有宽禁带直接带隙,可以用来制作绿光、蓝光和紫外光发光二极管,在普通LED的基础上,通过增加管芯尺寸,即所谓大管芯LED,能够提高发光功率,同时为了进一步提高发光功率和有利于器件散热,通常采用倒装焊技术,使氮化镓基大管芯LED...
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