技术编号:6848413
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路生产制造领域,尤其涉及。背景技术 随着硅单元器件尺寸不断向深亚微米的方向发展,多晶CoSi2薄膜在窄的多晶硅线条上的相变不受成核过程限制,因此被广泛地应用于特大规模集成电路制造工艺中。利用多晶CoSi2制造超大规模集成电路时,在MOS器件上可以不经过光刻,在硅片上形成自对准CoSi2漏源接触和栅电极。随着CMOS器件尺寸在横行和纵向上的不断减小,浅结限制了多晶金属硅化物薄膜的厚度,当膜变薄时,硅化物或者硅界面不平整,热稳定性差,严重影响P...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。