技术编号：6848502
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化镓(GaN)膜中的多孔阳极氧化铝(AAO)掩膜及制备方法。旨在提高外延生长的GaN材料质量，属于材料制备。背景技术 近年来，HVPE技术在GaN材料制备中获得了广泛的应用。由于这种材料生长方法的生长速率高，设备简单，制备成本低，因此是制备白支撑GaN衬底的一种主要方法。目前人们采用这种方法已经成功的制备出了厚膜GaN衬底R.J.Molnar et al.J.Cryst.Growth，V178，147，19...
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