技术编号：6850650
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体工艺，特别是涉及一种。背景技术 在一般的集成电路工艺中，通常会利用微影与蚀刻技术以形成开口或沟槽，其例如是在硅基底或含硅的材料层中形成开口或沟槽。就熟知的技术来说，在硅基底或含硅的材料层中形成开口或沟槽之后，晶片在等待送入下一个机器中的时候，开口或沟槽底部的硅基底或含硅的材料层会曝露在含氧的环境里，例如氧气或水气。因此，硅基底或含硅的材料层的硅原子会与氧气或水气产生氧化反应，而长出一层二氧化硅层，此二氧化硅层则称为原生氧化层(nativ...
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