技术编号：6853123
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 采用浮栅和控制栅层叠的叠层栅极结构的存储单元，可以进行电改写的非易失性半导体存储器件(EEPROM)是公知的。这种EEPROM中，浮栅与半导体衬底之间的第一栅绝缘膜采用隧道绝缘膜，浮栅与控制栅之间的第二栅绝缘膜，通常采用氧化硅膜(O)/氮化硅膜(N)/氧化硅膜(O)的层叠结构膜的ONO膜。各个存储单元形成在被元件分隔绝缘膜隔开的元件形成区域中。一般通过在元件分隔绝缘膜上的隔缝加工，浮栅电极膜在控制栅线(字线)方向形成分隔。在这种隔缝加...
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