技术编号：6853546
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且特别涉及一种具有非易失性存储器的半导体器件及其制造方法，其中，该非易失性存储器是叠置栅极结构，其形成在半导体衬底表面上的栅极绝缘膜(隧道绝缘膜)上。叠置栅极结构包括浮动栅极(典型为多晶硅层)、电极间绝缘膜(典型为氧化物膜/氮化物膜/氧化物膜的ONO叠置绝缘膜)以及控制栅极(典型为多晶硅层)。背景技术 现在通常使用具有双层多晶硅层的非易失性半导体存储器，比如闪存等。通过如下步骤可形成闪存在硅衬底上形成隧道(tunne...
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