技术编号:6853700
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管,特别是一种利用等离激元效应来提高光发射的量子效率的MIS(金属-绝缘体-半导体结构)深紫外(UV)发光二极管(LED)结构。背景技术 深紫外(UV)发光二极管(LED)在照明、高密度光存储、环境处理与检测、生物、医药领域的应用十分广泛。深紫外发光二极管所利用的半导体材料最成熟的是AlGaN(3.4-6.2ev)、AlInGaN(能带范围0.7-6.2ev)体系,ZnMgO(能带范围3.3-7.8ev)体系还处于发展阶段。这两种材料(A...
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