技术编号:6854869
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及二氧化铪层用前体和利用该前体生成二氧化铪层的一种方法,更具体地说,涉及的二氧化铪层前体能够在低温条件下,以增强电性能和阶梯覆盖率(step coverage)方式,以较快速度沉积;涉及利用该前体生成二氧化铪层的方法,及利用此方法制成的二氧化铪层的电容器和晶体管以及用这些电容器和/或晶体管制成电器元件。背景技术 在半导体(存储器)元件的栅氧化物层(gate oxide layer)或电容器介电层制作过程中,使用介电材料。介电材料的各种性能大大影响了...
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