技术编号：6856334
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造技术，特别是涉及利用化学机械研磨(CMP)技术的浅凹槽隔离(STI)结构的制造方法，适用于0.25μm以下特大规模集成电路(ULSI)制造工艺。公知的集成电路是采局部硅氧化法(LOCOS/Local Oxidation ofSilicon)技术形成绝缘结构。然而，在深亚微米制造工艺中，局部氧化法会导致绝缘结构侵入(encroachment)主动区内，即一般所谓”鸟嘴”现象。另外，当氧化硅层被生长在硅表面时，局部氧化法也会产生不平...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。