技术编号：6856734
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及蚀刻方面的技术，特别是涉及一种同时控制孔径不同开口的显影后-蚀刻后孔径差的方法，以及应用此方法的蚀刻工艺。本发明中显影后-蚀刻后孔径差的定义为显影后检查关键尺寸(ADI CD)与蚀刻后检查关键尺寸(AEI CD)两者之间的差值，下文中有时简称为孔径差或孔径缩小幅度。背景技术 随着集成电路的集成度要求愈来愈高，电路图案的尺寸也愈来愈小。在集成电路工艺中，缩小图案尺寸的方法大多利用高分辨率的光刻工艺。但是，高分辨率光刻工艺有光学上的限制，故其技术甚为...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。