技术编号：6857182
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机场效应晶体管，特别涉及一种新型非平面沟道有机场效应晶体管结构，是一种近垂直沟道结构的有机场效应晶体管和一种由两种不同金属分别作为源漏电极的有机场效应晶体管。背景技术 自从Tsumura et al.(Tsumura，A.；Koezuka，H.；Ando，T.Appl.Phys.Lett.1986，49，1210)关于有机场效应晶体管的报道以来，有机场效应晶体管由于其在有源矩阵显示，有机集成电路，电子商标等方面的潜在应用价值得到了人们的广泛关注...
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