技术编号：6857259
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体组件的制造方法，特别是一种适用于深亚微米(deep submicron)制造工艺制造的MOS组件制造方法。随着制造技术的不断演进，制造的精密度已逐渐进入深亚微米的领域。在深亚微米制造工艺中，许多的组件参数(例如线宽)比起现有的技术时的组件参数小了很多。以较小的尺寸实现电路组件固然具有高积集度的优点，但是制造方法本身也因此遭遇更多的难题。本发明主要是针对具有浅结结构的金属氧化物半导体晶体管(MOStransistor)，由于受到组件尺寸变...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。