技术编号：6865717
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在电子电路，尤其是集成电路(IC)中广泛使用金属氧化物半导体(MOS)器件，如场效应晶体管(FET)。在计算机应用领域、在开关电路中、和在高电压和功率应用领域中通常使用这些器件，其在应用中是普遍存在的。如非常熟知的，MOSFET用作电流阀，漏极和源极之间的漂移区(沟道)中的电流通过选择性地耗尽载流子的漂移区而被控制。沟道通常是增强型模式沟道，反向电压操作是通过MOS场板结构的漂移区电荷耗尽而获得的耗尽模式型操作来获得的。这些器件通常是增强型模式沟道，其具有...
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