技术编号：6865869
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在接近大气压下用于形成氧氮化物膜或氮化物膜的方法、一种用于形成该膜的装置、通过使用该形成方法和形成装置而形成的氧氮化物膜和氮化物膜、以及一种在其上形成该氧氮化物膜或氮化物膜的基材。背景技术 半导体设备，如，晶体管通常由在基材上形成的门电极，门绝缘膜，源电极，漏电极，钝化膜(保护膜)等组成。作为基材(待加工的物体)，使用硅晶片，玻璃基材或类似物。作为电极，使用金属如Al，多晶硅或类似物。作为包含钝化膜的中间层绝缘元件，使用氮化硅，氧化硅，碳化硅...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。