技术编号：6866183
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储晶体管，尤其涉及一种由这样的适用于一数组的存储单元构成的紧密结构及所述存储单元的制造方法。背景技术 在皆已转让给本发明的专利受让人的题为“Mirror Image Memory CellTransistor Pairs Featuring Poly Floating Spacers”的在先美国专利申请第10/423.637号和题为“Mirror Image Non-Volatile Memory Cell TransistorPair...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。