技术编号：6866186
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在层内，尤其是在微电子结构上的保护层内对准局部的开孔的方法。本发明尤其涉及用于储存二进制数据的非易失存储单元的制法。这种存储单元一般具有一只开关晶体管和一只存储电容器。电容器电极可以包含铂类金属，在电极之间安排铁电或顺电体材料作为介质。传统的微电子半导体存储器件(DRAM动态随机存取存储器)主要由一只选择晶体管或开关晶体管和一只存储电容器构成，其中在两电容器板之间嵌入介质材料。一般多半用具有介电常数最大约为8的氧化物层或氮化物层作为介质。为了缩小...
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