使用隔离阱的mos变容二极管的制作方法技术资料下载

技术编号:6867463

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本发明涉及包括变容二极管(可变电抗器)的互补金属氧化物半导体(CMOS)和双极/CMOS(BiCMOS)电子器件,所述变容二极管具有改善的可调谐性,这在某些情况下允许实现减少噪声例如寄生效应的负偏压和隔离。本发明还涉及用于制造这样的器件的方法。本发明的包括变容二极管的电子器件高度适合用于移动电话或者蜂窝电话、个人数字助理(PDA)以及其它高RF(射频)电子器件。背景技术 变容二极管是其电容能够由适当的电压或者电流偏置来控制的电子器件。变容二极管一般用在例如...
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