技术编号：6867556
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置(半导体设备)的制造方法以及衬底处理装置，例如，涉及一种半导体集成电路装置(下面称为IC)的制造方法，该方法有效用于在形成了含有半导体元件的半导体集成电路的半导体晶片(wafer)(下面称为晶片)上形成薄膜的工序，特别涉及硅晶片与薄膜之间形成高品质界面的技术。背景技术 在IC的制造方法中，用减压CVD法(化学气相成长法)在晶片上形成薄膜。近年，为了解决将晶片导入反应炉时由自然氧化膜增厚或粘附杂质引起的半导体劣化等问题，采用下述方法，即，...
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