技术编号：6868372
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化镓、氮化铟和氮化铝薄膜或者由这些物质的合金 制成的薄膜的生长。更具体的说，本发明涉及一种使用远程等离子体强化汽相淀积(RPECVD)生长氮化镓薄膜的方法和装置，其中来自 远程产生的氮等离子体的电中性但化学活性的化学物种可以被导入生 长氮化镓薄膜的生长室中。本发明也延及一种在氮化镓薄膜生长过程 中减少氮化镓薄膜损伤的方法，并且还延及一种使由铝、石英或熔融 石英制成的密封容器(containment vessel)钝化的方法。本发明还涉及 加热。...
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