技术编号：6869979
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造半导体的设备与方法，且更具体而言，涉及，使杂质离子以不同剂量被注入晶片的不同区域。背景技术 通常，当制造半导体器件如动态随机存取存储器(DRAMs)，需要许多工艺。这些工艺包括沉积工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺等，且通常对每一晶片实施。在这些工艺中，离子注入工艺为使用强电场以加速如硼、砷离子等的掺杂离子方式穿透晶片的表面而实施的工艺，经由离子注入来改变材料的电特性。图1为示意图示出用于此工艺的公知离子注入设备。参考图1，该公知离子注入设备包...
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