技术编号：6870879
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化合物半导体层的制造方法，以及使用该化合物半导体层太阳能电池及其制作方法。背景技术 太阳能电池是直接将光能转换成电能的元件，其基本构造是运用半导体的pn接合而成，将光照射在太阳能电池上，使半导体内部产生空穴-电子对，经P-N结电场的作用后，积累在P-N结两侧的电子(空穴)经过电极引出后形成电流。太阳电池的种类，依材料可区分为硅、化合物半导体，及(有)机半导体等材料，依材料制备型态则可分为块状(Block)及薄膜型。铜铟硒CuInSe2(CIS...
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