技术编号：6871009
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺中的化学机械研磨制程，具体涉及一种减 少化学机械研磨过程中图案凹陷的方法。背景技术等离子体蚀刻是集成电路制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面，其范围涵盖前端CMOS栅极(Gate)大小的控 制，以及后端金属铝的刻蚀及通孔(Via)和沟道(Trench)的刻蚀。在今天没 有一个集成电路芯片能在缺乏等离子体刻蚀技术情况下完成。 一般情况下 刻蚀设备的投资在芯片厂的设备投资中约占10%~12%比重，它的工艺水 平和...
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