技术编号:6873003
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电源管理半导体器件和带有具备全耗尽SOI器件结构的低电压工作场效应晶体管的模拟半导体器件。背景技术 半导体集成电路器件采用场效应晶体管(例如N型和P型MOS晶体管)以及由多晶硅等制成的电阻器以此在内部电路与外部输入/输出端之间设置输入保护器件或输出保护器件以避免因为例如由静电引起的过电流输入而造成的对构成内部电路的内部元件的损坏是很常见的作法。具有这类传统保护电路的半导体集成电路器件中的输入/输出电路块的例子可见图13A和13B、图14A和14B...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。