技术编号:6873578
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括电容器的半导体器件,该电容器具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构。背景技术 近来,MIM电容器更经常用作电容器元件,其与现有的金属氧化物半导体(MOS)电容器相比,寄生电阻和寄生电容显著减小。而且,也已经开发了由这种MIM电容器构成逻辑器件的单片结构。为了获得上面的结构,要求用于逻辑器件和电容器器件的结构和制造工艺都被集成。普通的逻辑器件包括多层结构,其中堆叠各互连以形成多层结构。把用于MIM电容器的结构和工艺应用到上面的多层互连结构是重...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。