技术编号：6876899
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种非挥发性内存(Non-Volatile Memory)的结构与制造方法，且特别是有关于一种氮化硅只读存储器(Silicon NitrideRead Only Memory，NROM)的结构与制造方法。典型的电可擦除可编程只读存储器以掺杂的复晶硅制作浮栅(Floating Gate)与控制栅(Control Gate)。当内存进行程序化(Program)时，注入浮栅的电子会均匀分布于整个复晶硅浮栅层之中。然而，当复晶硅浮栅层下方的穿隧氧化层...
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