技术编号：6885759
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。这里的实施例通常地涉及微电子器件及其制造方法，以及更具体而言， 涉及用于提高微电子晶体管的性能及其制造方法的技术。背景技术场效应晶体管(FET)，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)或互#^属氧化物半导体(CMOS)晶体管，通常在集成电 路器件中被利用，该集成电路器件包括消费和工业应用中广泛使用的逻辑、 存储器以及微处理器器件。通常，在高密度同步随机存储器(SRAM)器 件以及其他栅距处(at-pitch)和随机逻辑电路中，互连接触与栅极电...
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