技术编号:6886047
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率半导体组件,更特别的是,本发明涉及一种改良且新颖的应用在高频功率开关组件的保护栅极沟槽式(SGT)金属氧化物半导 体场效晶体管组件的结构与制造方法。先前技术传统上用来降低功率半导体组件的栅极-漏极电容Cgd的方法,目前仍旧 面临到许多技术上的限制与困难。当高频功率开关组件的需求日益成长,尤 其迫切地需要提供有效的解决方法以达到解决这些技术上的困难与限制。而 对于包含金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)与绝缘栅双极晶体管 (IGBT)...
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