技术编号：6886307
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于等离子蚀刻室的集成的电容性和电感性电源背景技术在半导体装置(如集成电路或平面显示器)的制造期间，材料 层会被交替地沉积至基片表面上并从基片(例如，半导体晶片或玻 璃面才反)表面蚀刻。如本领域纟支术人员所/>知的，材料层的沉积与 蚀刻可利用各种技术来完成，包含等离子增强沉积及蚀刻。在等离 子增强蚀刻期间，实际的基片沉积在等离子处理室内部进行。在蚀 刻处理期间，等离子由适当的蚀刻源气体所形成，以蚀刻未受到蚀 刻掩模保护的工作件区域，并留下期望的图案。...
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