技术编号:6886932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。改进的薄化法制造的玻璃绝缘体上的半导体背景技术本发明涉及采用改进的膜薄化法制造绝缘体上半导体(SOI)结构。迄今,最广泛用于绝缘体上半导体结构的半导体材料是硅。文献中将这种结构称作绝缘体上硅结构,并縮写为"SOI" 。 SOI技术对高性能薄膜晶体管、 太阳能电池和如有源矩阵显示器的显示器越来越重要。SOI结构可以包括在绝 缘材料上的基本为单晶硅的薄层(厚度一般为O. 1- 0.3微米,但有些情况,厚 度可达5微米)。为便于陈述,有时下面的讨论按SOI结构进...
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