技术编号：6887643
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括多孔半导体层的半导体发光器件，如发光二极管。 背景技术半导体发光器件如发光二极管(LED)是当前可利用的最有效的光 源之一。在能够在整个可见光谱上操作的高亮度发光二极管的制造过 程中，当前感兴趣的材料系统包括in-V族的半导体，特别是镓、铝、铟、氮的二、三、四元合金，也称之为m族氮化物材料；和镓、铝、铟、砷、和磷的二、三、四元合金。通常，m族氮化物器件是外延生 长在蓝宝石、碳化硅、或in族氮化物基片上的，in族磷化物器件是外延生长在砷化镓上的...
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