技术编号：6888007
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术已知在具有控制栅极和电荷存储层的N O R型闪存的存储单元(memory cell)中利用热电子对电荷存储层注入电荷的MOS晶体管结构(例如，参照非专利文献l)。将根据该电荷存储层的电荷存储状态的差异而形成的阔值电压的差异作为数据"O"、"l"进行存储。例如，在电荷存储层中使用浮置栅极的N沟道的存储单元的情况下，要对浮置栅极注入电荷而对控制栅极和漏极扩散层提供高电压，将源极扩散层和半导体衬底接地。此时，通过源极/漏极之间的电压来提高...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。