技术编号：6888995
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及穿隧式场效应晶体管和制造所述穿隧式场效应晶体 管的方法。背景技术不使用穿隧效应的类型的传统的场效应晶体管是公知的。通常，这种晶体管可具有一种导电类型(都是高度掺杂的n型或都是高度掺 杂的p型)的由体区横向分开的扩散的源极扩散部分和漏极扩散部 分。体区上的绝缘栅极控制了紧靠在源极和漏极之间的栅极之下的沟 道的导通。一直期望减小这种传统晶体管的尺寸。然而，尽管近几十年来 在减小晶体管尺寸方面取得了很大成功，但是，仍然存在一些与进一 步减小晶体管尺寸相...
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